Dil06012020

Darrera actualitzacióDiv, 22 Mai 2020 11am

Back Estàs aquí:Inicio Tecnologies físiques Ofertes tecnològiques

Suport per analitzar films i mostres de pols ajustant temperatura i angle de mesura

Investigadors del CSIC i de l'Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2-BIST) han desenvolupat i patentat un suport de mostres per analitzar films o mostres de pols en un fluorímetre o un espectròmetre UV-Vis-NIR en mode de transmissió o de reflexió. Permet controlar la temperatura i l’angle de mesurament. Es pot adaptar a equips de diferents marques.

Llegeix més...

Nous agents de contrast de ressonància magnètica (IRM) basats en dendrímers orgànics lliures de metalls

Imatge per ressonància magnètica (IRM) és una tècnica d'imatge clínica d'imatge clínica utilitzada per al diagnòstic i la caracterització de teixits tous no invasius. La tècnica proporciona imatges amb excel·lent detall dels tumors i condicions patològiques relacionades gràcies als agents de contrast utilitzats en el procediment.

Llegeix més...

Transformació de piles usades a biocatalitzadors: economia circular i sostenible

Un equip de el Centro de Investigaciones Biológicas del CSIC (CIB-CSIC) ha desenvolupat una aplicació per a la reutilització sostenible de components de piles usades. Utilitzant el material obtingut de la massa negra de les piles i un enzim, els científics han sintetitzat èsters per biocatàlisi, mitjançant una reacció selectiva i neta.

Llegeix més...

Creen un dispositiu que diferencia, en una única anàlisi i sense marcadors, cèl·lules sanes de tumorals

Un equip del CSIC ha dissenyat un mètode i un dispositiu que permet diferenciar, en una sola anàlisi, les cèl·lules o partícules que hi ha en un fluid. El prototip ha estat posat a prova en un treball, publicat i destacat a la portada de la revista ACS Sensors. El sistema ha estat patentat per tal que empreses fabricants d'equips de laboratori, interessades en una llicència, puguin implementar aquesta tecnologia al mercat.

Llegeix més...

Dispositius per apliacions de potència i ambients amb alta radiació

Científics del CSIC a l'Institut de Microelectrònica de Barcelona - Centre Nacional de Microelectrònica, han desenvolupat uns transistors JFET que poden ser utilitzats en aplicacions o entorns amb una alta radiació, en els quals els JFET estàndard fallen causa de l'excés de radiació.

Llegeix més...