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Última actualizaciónLun, 11 Nov 2019 1pm

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Dispositivo para aplicaciones de potencia y ambientes con radiación alta

Científicos del CSIC en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica, han desarrollado unos transistores JFET que pueden ser utilizados en aplicaciones o entornos con una alta radiación, en los que los JFET estándar fallan debido al exceso de radiación.

Los transistores JFET desarrollados pueden ser utilizados en aplicaciones o entornos con alta radiación, en los que los JFET estándar fallan.Los dispositivos JFET (del inglés Junction Field-Effect Transistor) se utilizan ampliamente como interruptores o como elemento de protección pasiva. Sin embargo, no se pueden aplicar en aplicaciones o entornos en los que hay una alta radiación, porque los materiales que se requieren en su fabricación fallan cuando son expuestos a una radiación alta. Además, el uso de sustratos n-dopados en dispositivos electrónicos para mejorar las propiedades eléctricas aumenta su vulnerabilidad a la radiación.

 

De ahí que una línea de investigación muy activa en electrónica de potencia es la búsqueda de dispositivos apropiados para circuitos de distribución de energía y sistemas de control que sean capaces de operar en entornos de alta radiación.

En el Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica, han desarrollado un novedoso transistor JFET que puede ser utilizado en esos entornos con alta radiación.

Sus principales aplicaciones están en la distribución de potencia para reactores nucleares o aplicaciones espaciales. Pueden usarse, no obstante, en otros campos, como aviación, aceleradores de partículas o equipos médicos de radiodiagnóstico o similares. 

Pueden aplicarse también como interruptores en aplicaciones de alta potencia. Sus principales ventajas son una alta robustez frente a radiación ionizante y no-ionizante, un diseño mejorado que permite mayores densidades de corriente, voltaje de ruptura alto (superior a 800 V), la posibilidad de diseñarlo y adaptarlo específicamente para cada aplicación, entre otras.

Se buscan socios industriales de la industria electrónica centrados en la detección de radiación o distribución de energía en entornos de radiación para colaborar a través de un acuerdo de licencia de patente.

Contacto:

Isabel Gavilanes-Pérez, PhD.
Vicepresidencia para
Transferencia de Conocimiento (CSIC)
Tel.: +34 – 93 594 77 00
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